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国外集成电路命名方法(一)


国外集成电路命名方法(电路系列缩写符号,介绍了国外集成电路命名方法)

器件型号举例说明 ( 缩写字符:AMD 译名:先进微器件公司(美))

AM

29L509

P

C

B

AMD首标

器件编号

封装形式

温度范围

分类

 

"L":低功耗;

D:铜焊双列直插

C:商用温度,

没有标志的

 

"S":肖特基;

(多层陶瓷);

0-70

为标准加工

 

"LS":低功耗肖特基;

L:无引线芯片载体:

0-75

产品,标有

 

21MOS存储器;

P:塑料双列直插;

M:军用温度,

"B"的为已

 

25:中规范(MSI);

E:扁平封装(陶瓷扁平);

-55-125

老化产品。

 

26:计算机接口;

X:管芯;

H:商用,

 

 

27:双极存储器或EPROM

A:塑料球栅阵列;

0-110

 

 

28MOS存储器理;

B:塑料芯片载体

I:工业用,

 

 

29:双极微处理器;

CD:密封双列;

-4085

 

 

54/74:同25

E:薄的小引线封装;

N:工业用,

 

 

606166:模拟,双极;

G:陶瓷针栅陈列;

-2585

 

 

79:电信;

ZYUKH:塑料

K:特殊军用,

 

 

80MOS微处理器;

四面引线扁平;

-30125

 

 

8182MOS和双极处围电路;

J:塑料芯片载体(PLCC);

L:限制军用,

 

 

90MOS

L:陶瓷芯片载体(LCC);

-55-85

 

 

91MOS RAM

VM:薄的四面

125

 

 

92MOS

引线扁平;

 

 

 

93:双极逻辑存储器

PR:塑料双列;

 

 

 

94MOS

S:塑料小引线封装;

 

 

 

95MOS外围电路;

W:晶片;

 

 

 

1004ECL存储器;

也用别的厂家的符号:

 

 

 

104ECL存储器;

P:塑料双列;

 

 

 

PAL:可编程逻辑陈列;

NSN:塑料双列;

 

 

 

98EEPROM

JSJ:密封双列;

 

 

 

99CMOS存储器。

W:扁平;

 

 

 

 

R:陶瓷芯片载体;

 

 

 

 

A:陶瓷针栅陈列;

 

 

 

 

NG:塑料四面引线扁平;

 

 

 

 

QQS:陶瓷双列。

 

 

 

器件型号举例说明( 缩写字符:ANA 译名:模拟器件公司(美))

 

AD

644

A

S

H

/883B

ANA首标

器件

附加说明

温度范围

封装形式

筛选水平

AD:模拟器件

编号

A:第二代产品;

IJKLM

D:陶瓷或金属气

MIL-STD-

HA:混合

 

DI:介质隔离产

0-70

密双列封装

883B级。

A/D

 

品;

ABC

(多层陶瓷);

 

HD:混合

 

Z:工作在+12V

-25-85

E:芯片载体;

 

D/A

 

的产品。(EECL

STU

F:陶瓷扁平;

 

 

 

 

-55-125

GPGA封装

 

 

 

 

 

(针栅阵列);

 

 

 

 

 

H:金属圆壳气

 

 

 

 

 

密封装;

 

 

 

 

 

M:金属壳双列

 

 

 

 

 

密封计算机部件;

 

 

 

 

 

N:塑料双列直插;

 

 

 

 

 

Q:陶瓷浸渍双列

 

 

 

 

 

(黑陶瓷);

 

 

 

 

 

CHIPS:单片的芯片。

 

同时采用其它厂家编号出厂产品。

 

通用器件型号举例说明(缩字字符:BUB 译名:布尔-布朗公司(美))

 

ADC

803

X

X

X

X

首标

器件编号

通用资料

温度范围

封装

筛选水平

 

 

A:改进参数性能;

JKL

M:铜焊的金属壳封装;

Q:高可

 

 

L:自销型;

0-70

L:陶瓷芯片载体;

靠产品;

 

 

Z+ 12V电源工作;

ABC

N:塑料芯片载体;

/QM

 

 

HT:宽温度范围。

-25-85

P:塑封(双列);

MIL

 

 

 

RSTV

H:铜焊的陶瓷封装

STD

 

 

 

-55-125

(双列);

883产品。

 

 

 

 

G:普通陶瓷(双列);

 

 

 

 

 

U:小引线封装。

 

 

模拟器件产品型号举例说明( 缩字字符:BUB 译名:布尔-布朗公司(美))

 

-

--

X

X

X

 

首标

器件编号

温度范围

封装

筛选水平

 

 

 

HJKL

M:铜焊金属壳封装;

Q:高可靠产品;

 

 

 

0-70

P:塑封;

/QMMIL-STD-

 

 

 

ABC:(-25-85

G:陶瓷。

883产品。

 

 

 

RSTV

 

 

 

 

 

-55-125

 

 

 

军用器件产品型号举例说明(放大器/多路转换器/ADC/VFC

OPA

105

X

M

/XXX

 

首标

器件编号

温度范围

封装

高可靠性等级

 

 

 

V:(-55-125

M:金属的;

MIL-STD-883B

 

 

 

U:(-25-85

L:芯片载体。

 

 

 

 

W:(-55-125

 

 

 

DAC的型号举例说明

DAC

87

X

XXX

X

/XXX

首标

器件编号

温度范围

输入代码

输出

MIL-STD-883B表示

 

 

V:(-55-125)

CBI:互补二进制

V:电压输出;

 

 

 

U:(-25-85

输入;

I:电流输出。

 

 

 

 

COB:互补余码补偿

 

 

 

 

 

二进制输入;

 

 

 

 

 

CSB:互补直接二进制

 

 

 

 

 

输入;

 

 

 

 

 

CTC:互补的两余码

 

 

 

 

 

输入。

 

 

首标的意义:

放大器

 

转换器

ADCA/D转换器;

OPA:运算放大器;

ADS:有采样/保持的A/D转换器;

INA:仪用放大器;

DACD/A转换器;

PGA:可编程控增益放大器;

MPC:多路转换器;

ISO:隔离放大器。

PCM:音频和数字信号处理的

 

A/DD/A转换器。

模拟函数

MFC:多功能转换器;

SDM:系统数据模块;

MPY:乘法器;

SHC:采样/保持电路。

DIV:除法器;

 

LOG:对数放大器。

混杂电路

PWS:电源(DC/DC转换器);

 

PWR:电源(同上);

频率产品

VFC:电压-频率转换器;

REF:基准电压源;

UAF:通用有源滤波器。

XTR:发射机;

 

RCV:接收机。

 

器件型号举例说明( 缩写字符:CYSC 译名:丝柏(CYPRESS)半导体有限公司 )

 

CY

7C128

-45

C

M

B

首标

系列及

速度

封装

温度范围

加工

 

器件编号

 

B:塑料针栅阵列;

C:(0-70

B:高可靠。

 

 

 

D:陶瓷双列;

L:(-40-85

 

 

 

 

F:扁平;

M:(-55-125

 

 

 

 

G:针栅阵列(PGA);

 

 

 

 

 

H:密封的LCC(芯片载体);

 

 

 

 

 

JPLCC(密封芯片载体);

 

 

 

 

 

KCERPAK

 

 

 

 

 

LLCC

 

 

 

 

 

P:塑封;

 

 

 

 

 

QLCC

 

 

 

 

 

RPGA

 

 

 

 

 

S:小引线封装(SOIC);

 

 

 

 

 

TCERPAK

 

 

 

 

 

VSOJ

 

 

 

 

 

WCERDIP(陶瓷双列);

 

 

 

 

 

X:小方块(dice);

 

 

 

 

 

HD:密封双列;

 

 

 

 

 

HV:密封直立双列;

 

 

 

 

 

PF:塑料扁平单列(SIP)

 

 

 

 

 

PS:塑料单列(SIP);

 

 

 

 

 

PZ:塑料ZIP

 

 


缩写字符:FSC 译名:仙童公司(美)

μA

741

T

C

 

FSC首标

器件

封装形式

温度范围

F:仙童(快捷)电路

编号

D:密封陶瓷双列封装

C:商用温度(0-70/75

SH:混合电路;

 

(多层陶瓷双列);

[CMOS:(-40-85]

μA:线性电路。

 

E:塑料圆壳;

M:军用温度(-55-125

 

 

 

F:密封扁平封装(陶瓷扁平);

LMOS电路(-55-85

 

 

 

H:金属圆壳封装;

混合电路(-20-85

 

 

 

J:铜焊双列封装(TO-66);

V:工业用温度(-20-85

 

 

 

K:金属功率封装(TO-3

-40-85

 

 

 

(金属菱形);

 

 

 

 

P:塑料双列直插封装;

 

 

 

 

R:密封陶瓷8线双列封装;

 

 

 

 

 

S:混合电路金属封装(陶瓷

 

 

 

 

 

双列,F6800系列);

 

 

 

 

 

T:塑料8线双列直插封装;

 

 

 

 

 

U:塑料功率封装(TO-220);

 

 

 

 

 

U1:塑料功率封装;

 

 

 

 

 

W:塑封(TO-92);

 

 

 

 

 

SP:细长的塑料双列;

 

 

 

 

 

SD:细长的陶瓷双列;

 

 

 

 

 

L:陶瓷芯片载体;

 

 

 

 

 

Q:塑料芯片载体;

 

 

 

 

 

S:小引线封装(SOIC)。

 

 

 

 

 

 

 

 

    该公司与NSC合作,专门生产数字集成电路。除原有的54/74TTLHTTLSTTLLSTTLASTTLALSTTLFAST等外,还有CMOSFACT,内含54/74ACACTACQACTQFCT等系列。

 

缩写字符:HAS 译名:哈里斯公司(美)萨克         

 

 

H

M

1

6508

B

2

HAS

系列

封装

器件

种类/产品

温度范围

音标

A:模拟电路;

0:芯片

编号

等级种类:

1:(-55-200)

 

C:通信电路;

1:陶瓷双列;

 

COMS:

2:(-55-125)

 

D:数字电路;

1B:铜焊的陶瓷双列;

 

A:10V;

4:-25-85

 

F:滤波器;

2:金属圆壳(TO-5);

 

B:高速-低功耗;

5:(0-75

 

I:接口电路;

3:环氧树脂双列;

 

D:商用的; 没标

6100%25抽测

 

M:存储器;

4:芯片载体;

 

的为一般产品。

(小批);

 

V:高压模拟电路;

4P:塑料芯片载体;

 

双极:

7:表示"5"温度范围

 

PL:可编程逻辑;

5LCC混合电路

 

A:再设计,双金属的

的高可靠产品;

 

Y:多片组合电路。

(陶瓷衬底);

 

P:有功率降额选择的;

8MIL-STD-883B产品;

 

 

7:小型陶瓷双列;

 

R:锁定输出的;

9:(-40-85

 

 

9:扁平封装。

 

RP:有功率降额限

9+:(-40-85

 

 

 

 

制的锁定输出

已老化产品;

 

 

 

 

没标的为一般产品.

RH:抗辐射产品。

 

 

 

 

产品等级:

 

 

 

 

 

A:高速;

 

 

 

 

 

B:甚高速;

 

 

 

 

 

没标的为一般速度.

 

部分器件编号:

0×××:二极管矩阵;

61××:微处理器;

63××CMOS ROM

64××CMOS接口;

65××CMOS RAM

66××CMOS PROM

67××COMS EPROM

76××;双极 PROM

77××:可编程逻辑。

 

 

 


80C86
系列型号举例说明

M

D

82C59A

S

/B

温度

封装

器件

速度(MHz

高可靠产品

C:商用(0-70

P:塑封;

编号

外围电路:

B:已老化,8次冲击的

I:工业用(-40-85

D:陶瓷双列;

 

55MHz

+:已老化,

M:军用(-55-125

X:芯片;

 

空白:8MHz

工业温度等级;

X25℃

R:芯片载体(陶瓷);

 

CPU电路:

/883:(-55-125

 

S :塑料芯片载体。

 

空白:5MHz

MIL-STD-883产品。

 

 

 

28MHz

 

微波电路产品的通用符号系列:

系列:

封装:

A:放大器(GaAsFET);

132线金属密封扁平封装;

D:数字电路(GaAs);

216线金属密封扁平封装;

F:FET(GaAs)

348线金属密封扁平封装

M:单片微波集成电路;

 

P:高功率FETGaAs);

 

R:模拟电路(GaAs);

 

 

同时生产其它厂家相同型号的产品。

电路系列缩写符号


缩写字符:INL 译名:英特希尔公司(美)


器件型号举例说明

ICL

8038

C

C

P

D

器件系列

器件编号

温度范围

封装

外引线数符号

D:混合驱动器;

存储器件

(除DDGG外)

ATO-237

A8

G:混合多路FET

命名法

M:(-55~125

B:塑料扁平封装

B10

ICL:线性电路;

首位数表示:

 

I:(-20~85

CTO-220

C12

ICM:钟表电路;

6CMOS工艺;

 

C:(0~70

D:陶瓷双列;

D14

IH:混合/模拟门;

7MOS工艺;

 

DDGG的温度

E:小型TO-8

E16

IM:存储器;

第二位数表示:

 

范围:

F:陶瓷扁平封装

F22

AD:模拟器件;

1:处理单元;

 

A:(-55~125

HTO~66I16

G24

DG:模拟开关;

3ROM

 

B:(-20~85

线(跨距为0.6"X0.7")

H42

DGM:单片模拟开关;

4:接口单元;

 

C:(0~70

密封混合双列;

I28

ICH:混合电路;

5RAM

 

 

J:陶瓷浸渍双列

J32

LH:混合IC

6PROM

 

 

(黑瓷);

K35

LM:线性IC

第三、四位数表

 

 

KTO-3

L40

MM:高压开关;

示:

 

 

L:无引线陶瓷载体;

M48

NESIC产品;

芯片型号。

 

 

P:塑料双列;

N18

SE SIC产品。

 

 

 

STO-52

P20

 

 

 

 

TTO-5(亦是

Q2

 

 

 

 

TO-78,TO-99

R3

 

 

 

 

TO-100

S4

 

 

 

 

UTO-72(亦是

T6

 

 

 

 

TO-18,TO-71

U7

 

 

 

 

VTO-39

V8(引线径0.2");

 

 

 

 

ZTO-92

W10(引线径0.23"

 

 

 

 

/W:大圆片;

Y8(引线径

 

 

 

 

/D:芯片。

0.2"4端与壳接)

 

 

 

 

 

z10(引线径0.23"

 

 

 

 

 

5端与壳接)。

 

 

 

 

 

 

该公司已并入HAS公司。

 




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